[发明专利]一种685nmAlGaInP红光半导体激光器在审
| 申请号： | 201611035239.8 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108092132A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；下缓冲层为AlxIn1‑xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.4；上缓冲层为AlyIn1‑yP组分渐变层，y由0.4线性渐变至0.5。本发明通过AlInP组分渐变缓冲层，使得限制层及波导层的In组分增加到0.6。相比于现有的与GaAs晶格匹配的AlGaInP红光半导体激光器，本发明半导体激光器的量子阱层在低应变或者无应变条件下即可获得685nm的激光输出，不会存在高应变量带来的缺陷，同时可以使用厚阱结构，提高半导体激光器的微分效率。 | ||
| 搜索关键词： | 红光半导体激光器 半导体激光器 量子阱层 上缓冲层 下缓冲层 组分渐变 渐变 组分渐变缓冲层 欧姆接触层 晶格匹配 上波导层 上限制层 微分效率 下波导层 下限制层 应变条件 波导层 低应变 限制层 应变量 阱结构 衬底 激光 输出 | ||
【主权项】：
1.一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；其特征在于，下缓冲层为Alx In1-x P组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.4；上缓冲层为Aly In1-y P组分渐变层，y由0.4线性渐变至0.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子股份有限公司，未经山东华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611035239.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阶梯脊型半导体激光器及其制备方法
- 下一篇：过电压与突波保护元件
