[发明专利]功率半导体芯片以及用于制造功率半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201611035382.7 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106783785B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | W·M·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 重庆智鹰律师事务所 50274 | 代理人： | 唐超尘;刘贻行 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体芯片，其具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。本发明还涉及用于制造功率半导体芯片(1)的方法。本发明还涉及功率半导体器件。本发明提供功率半导体芯片(1)，其具有金属化部(10)，在键合期间不设置有厚金属覆盖层的铜线(11)能够可靠地键合到所述金属化部(10)，而不损坏功率半导体芯片(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 芯片 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体芯片，其特征在于，所述功率半导体芯片具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述多层金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。
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