[发明专利]一种H-MoS2/NG纳米复合材料及制备方法与应用有效
| 申请号： | 201611036422.X | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106532040B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 邱文达;黎彧;游遨;张泽敏 | 申请（专利权）人： | 广东轻工职业技术学院 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/86;H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 杨燕瑞 |
| 地址： | 528225 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于析氢电催化技术领域，公开了一种H‑MoS2/NG纳米复合材料及其制备方法与应用。本发明制备方法包括以下步骤：将MoS2的生长溶液通过水热法得到MoS2纳米颗粒；将其和氨丙基三乙氧基硅烷混合于溶剂中，搅拌，得到APS‑修饰的MoS2纳米颗粒；将其置于氮掺杂石墨烯前驱溶液，水热法得到氮掺杂石墨烯包覆MoS2纳米颗粒的H‑MoS2/NG纳米复合材料。本发明方法制备得到中空球状MoS2纳米颗粒外层包覆氮掺杂石墨烯的复合材料，其提高有效电子转移的接触面积，增多活性位点，从而增强导电性，具有高机械强度、高比表面积、高导电性、低成本、资源丰富而析氢催化性能优异的特点，可应用于析氢电催化领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos2 ng 纳米 复合材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种H‑MoS2/NG纳米复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将MoS2的生长溶液通过水热法得到MoS2纳米颗粒；（2）将MoS2纳米颗粒和氨丙基三乙氧基硅烷混合于溶剂中，搅拌，得到APS‑修饰的MoS2纳米颗粒；（3）将APS‑修饰的MoS2纳米颗粒置于氮掺杂石墨烯前驱溶液，水热法得到氮掺杂石墨烯包覆MoS2纳米颗粒的复合材料；所述的MoS2的生长溶液由包括以下重量体积份组分组成：mg/mL，三氧化钼850～880重量份、氟化钠500～520重量份、硫氰酸钾1800～2000重量份、水20～40体积份；所述制备方法中，各反应物的用量为：重量体积份，mg/mL，MoS2 200～800重量份；氨丙基三乙氧基硅烷0.2～0.8体积份；氧化石墨烯10～40体积份；氨水10～30体积份；步骤（1）中所述水热法的温度为200～230℃，时间为18～26 h。
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