[发明专利]顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管。本发明的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，在沉积形成中间层的同时，向其中掺杂氟元素，后续以栅极与栅极绝缘层为遮挡，对有源层进行高温退火处理，并在中间层的作用下，使得高温退火处理后所述有源层上未被所述栅极与栅极绝缘层覆盖的且与所述中间层相接触的区域，其金属氧化物半导体材料被氟离子还原而导电性增强，该方法相对于传统的制作方法不需要增加新的工艺步骤，对源、漏极接触区的金属氧化物半导体材料的表面损伤较轻，同时能够有效降低源、漏极接触区的电阻，且源、漏极接触区经过高温退火处理后的电阻稳定，不会对器件稳定性产生影响。

主权项

一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、及金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到有源层(35)；步骤2、在所述缓冲层(20)、及有源层(35)上依次沉积绝缘层(40)、及栅极金属层(50)，对该绝缘层(40)、及栅极金属层(50)进行图案化处理，得到栅极(55)与栅极绝缘层(45)；步骤3、通过增强型等离子体化学气相沉积法在所述栅极(55)、有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积一层含氟的氮化硅、或氧化硅层，得到中间层(60)；步骤4、对所述有源层(35)进行高温退火处理，以所述栅极(55)与栅极绝缘层(45)为遮挡，并在中间层(60)的作用下，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极绝缘层(45)覆盖的且与所述中间层(60)相接触的区域的导电性增强，形成源极接触区(351)、漏极接触区(352)、以及位于所述源极接触区(351)与漏极接触区(352)之间的沟道区(353)；步骤5、对中间层(60)进行图案化处理，在所述中间层(60)上形成分别对应于所述源极接触区(351)与漏极接触区(352)的第一通孔(61)与第二通孔(62)；在所述中间层(60)上沉积源漏极金属层(70)，对该源漏极金属层(70)进行图案化处理，得到源极(71)与漏极(72)。