[发明专利]基于表面等离子体直接测量纵向偏振光偏振态的方法

摘要

本发明涉及一种基于表面等离子体直接测量纵向偏振光偏振态的方法，金属纳米颗粒受到光激发时，其产生的表面等离子体的分布由激发光的偏振态决定。基于这个现象，设计了探测基片，通过观察曝光后探测基片记录层上的图案来判断激发光的偏振态。实现了对纵向偏振光的纵向偏振态的直接测量，这是目前其他偏振测量方法无法实现的；测量方法简单有效，容易实施。

主权项

一种基于表面等离子体直接测量纵向偏振光偏振态的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：1）制作探测基片，探测基片包括玻璃基片、附在玻璃基本上的与玻璃基片面积相同的200纳米厚的铬薄膜记录层，以及在记录层上的金属纳米颗粒，记录层上的金属纳米颗粒的尺寸为被测光束波长的1/3左右；2）在待测光束的光路上依次放置可调光功率衰减器和曝光快门，在光路的末端，也就是测量光偏振状态的位置放置探测基片，带测光垂直入射到记录层；3）通过可调光功率衰减器调节光功率至符合测量要求的范围内；4）调节曝光快门的曝光时间，待测光束经过可调光功率衰减器和曝光快门，然后垂直入射到探测基片上，进行一次曝光；5）使用扫描电子显微镜对探测基片在曝光过程中被照射的区域进行观察，纪录此区域内记录层上金属纳米颗粒所处位置及其附近的表面形貌；6）通过计算模拟，得到探测基片上记录层上金属纳米颗粒所处位置附近的电场分布图，然后将步骤5）中得到的表面形貌与模拟结果进行对比，确定待测光束的偏振状态。