[发明专利]发光二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201611036912.X | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106340572B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 展望;马后永;游正璋;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成发光层；在所述发光层表面形成顶层阱层；在所述发光层上形成复合层，所述复合层包括：位于所述顶层阱层表面的本征层，以及位于所述本征层上的应力释放层；在所述复合层上形成第二电极层。所述复合层能够实现所述发光层中应力的释放，从而能够减小所述发光层中应力对所述第二电极层的影响，从而能够改善所形成的第二电极层的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光层 复合层 发光二极管 第二电极 第一电极 本征层 顶层 衬底 阱层 发光层表面 应力释放层 减小 晶格 释放 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成发光层；在所述发光层表面形成顶层阱层；在所述发光层上形成复合层，所述复合层包括：位于所述顶层阱层表面的本征层，以及位于所述本征层上的应力释放层；在所述复合层上形成第二电极层；所述发光层包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述第一电极层表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层；所述本征层的厚度小于所述垒层的厚度。
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