[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611037040.9 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN106384769B 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 刘佳;曹蔚然;向超宇 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/42;H01L33/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,方法包括步骤:在衬底上制备一层氧化石墨烯,然后在氧化石墨烯上涂覆茶多酚与HI的混合水溶液,待表面干燥之后冷却,得到石墨烯;在石墨烯上依次制备空穴传输层和量子点发光层;在量子点发光层上制备电子传输层,并蒸镀阴极于电子传输层上,形成量子点发光二极管。本发明通过采用茶多酚与HI的混合水溶液处理氧化石墨烯(GO),得到石墨烯,以显著提高石墨烯的电导率,同时由于其高透光性,因而,可以作为阳极的优选材料,以显著提高器件效率。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:/n步骤A、在衬底上制备一层氧化石墨烯,然后于90~110℃在氧化石墨烯上涂覆茶多酚与HI的混合水溶液,待表面干燥之后冷却,得到石墨烯;/n氧化石墨烯:茶多酚:HI的质量比为1:(0.3~7):(0.3~7);/n步骤B、在石墨烯上依次制备空穴传输层和量子点发光层;/n步骤C、在量子点发光层上制备电子传输层,并蒸镀阴极于电子传输层上,形成量子点发光二极管。/n
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