[发明专利]发光二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201611037506.5 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106449917B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 展望;马后永;游正璋;琚晶 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成量子阱结构；在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中含有掺杂离子；在所述应力释放层上形成第二电极层。所述形成方法能够降低量子阱结构因晶格失配产生的应力对所述第二电极层的影响，从而能够提高所述第二电极层的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成第一电极层；/n在所述第一电极层上形成量子阱结构；/n在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中含有掺杂离子；/n在所述应力释放层上形成第二电极层；/n所述量子阱结构包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述第一电极层表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层；/n所述应力释放层中掺杂离子的含量大于所述量子阱结构中的掺杂离子含量；/n所述掺杂离子为碳离子；/n所述应力释放层的材料为含有掺杂离子的GaN、含有掺杂离子的GaAs或含有掺杂离子的GaP。/n
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