[发明专利]单行载流子光电探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法，该光电探测器包括衬底、外延层和电极，所述外延层包括依次叠加的集结层、崖层、传导层、吸收层和阻挡层，所述吸收层采用渐变掺杂的InGaAs，所述阻挡层采用Al_xIn_1‑xAs，0＜x＜1。本发明采用Al_xIn_1‑xAs材料作为阻挡层和集结层；采用渐变组分的传导层InGaAlAs平滑InGaAs与InAlAs之间的带隙，实现晶格匹配，减少异质界面处的位错密度并防止电子在异质界面的聚集，加速电子的漂移速度。同时集结层的掺杂浓度呈现梯度变化，一方面有效地减弱空间电荷效应，降低器件的热功率消耗，提高器件的饱和输出电流；另一方面有效地减弱速度过冲效应，可以得到小的电压依赖带宽和更好的线性响应。

主权项

1.一种单行载流子光电探测器，其特征在于，包括衬底、外延层和电极，所述外延层包括依次叠加的集结层、崖层、传导层、吸收层和阻挡层，所述吸收层采用渐变掺杂的InGaAs，所述阻挡层采用AlxIn1‑xAs，0＜x＜1，所述传导层采用In0.53GayAl0.47‑yAs组分渐变层，其中0

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