[发明专利]半导体结构

摘要

本发明涉及一种半导体结构，其包含扩散带的第一行，其具有分离开第一距离的两个区段；扩散带的第二行，其具有分离开所述第一距离的两个区段；扩散带的第三行，其具有分离开所述第一距离的两个区段；扩散带的第四行，其具有分离开所述第一距离的两个区段；导电带的第一行，其在扩散带的所述第一行及扩散带的所述第二行上方；及导电带的第二行，其在扩散带的所述第三行及扩散带的所述第四行上方。导电带的所述第一行具有分离开第二距离的两个区段。导电带的所述第二行具有分离开所述第二距离的两个区段，其中所述第二距离大于所述第一距离。

主权项

一种半导体结构，其包括：源极/漏极扩散带的第一行，其具有第一区段及与所述第一区段分离开第一距离的第二区段；源极/漏极扩散带的第二行，其具有第一区段及与所述第一区段分离开所述第一距离的第二区段；源极/漏极扩散带的第三行，其具有第一区段及与所述第一区段分离开所述第一距离的第二区段；源极/漏极扩散带的第四行，其具有第一区段及与所述第一区段分离开所述第一距离的第二区段；导电带的第一行，其在源极/漏极扩散带的所述第一行及源极/漏极扩散带的所述第二行上方，导电带的所述第一行具有第一区段及与所述第一区段分离开第二距离的第二区段；及导电带的第二行，其在源极/漏极扩散带的所述第三行及源极/漏极扩散带的所述第四行上方，导电带的所述第二行具有第一区段及与所述第一区段分离开所述第二距离的第二区段，其中所述第二距离大于所述第一距离。