[发明专利]FET-双极晶体管组合有效
| 申请号： | 201611040520.0 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106684073B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | E·J·考尼 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本公开涉及FET‑双极晶体管组合。提供了一种晶体管开关设备，其表现出相对良好的电压能力和相对容易的驱动要求以接通和断开设备。这可以减少可能扰乱其他组件的瞬态驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | fet 双极晶体管 组合 | ||
【主权项】：
1.一种电流流动控制设备，包括：双极晶体管；和与所述双极晶体管串联的场效应晶体管，其中所述双极晶体管和所述场效应晶体管设置在半导体的隔离区域内，其中所述双极晶体管被配置为将载流子注入所述场效应晶体管的耗尽区中，以便接通所述场效应晶体管，并且其中所述场效应晶体管包括形成在沟槽内的栅极，所述沟槽被布置为将所述栅极与所述双极晶体管隔离。
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