[发明专利]基于分裂环超材料单元的双频圆极化平面反射阵天线有效
申请号: | 201611040945.1 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN106532274B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 江梅;玄晓波;商远波;张立东;韩如冰;朱丽丽 | 申请(专利权)人: | 上海无线电设备研究所 |
主分类号: | H01Q21/24 | 分类号: | H01Q21/24;H01Q1/36 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 尹兵;苗绘 |
地址: | 200090 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于分裂环超材料单元的双频圆极化平面反射阵天线,设有双频复合平面反射阵及其下方的圆极化喇叭馈源;反射阵中包含接地金属、中间层介质基片,以及通过低频、高频两种分裂环单元交替排列组成中心环绕二维阵列结构的金属分裂环阵面;该阵面为多分区子阵并行结构。所述馈源包含矩形波导、矩形波导过渡段、斜切角的圆波导、圆波导过渡段和开口由窄到宽变化的圆开口波导。本发明能够利用分裂环超材料单元的多谐振特性来提高反射阵的工作带宽;还能够利用多分区子阵的并行设计方法能够有效提高阵面建模速度和效率,并利于大规模平面阵列的分区加工成型。 | ||
搜索关键词: | 基于 分裂 材料 单元 双频 极化 平面 反射 天线 | ||
【主权项】:
一种基于分裂环超材料单元的双频圆极化平面反射阵天线,其特征在于:所述天线设置的双频复合平面反射阵(1)中,包含中间层介质基片(12)、位于该中间层介质基片(12)下方的金属分裂环阵面(11),和位于该中间层介质基片(12)上方的接地金属(13);所述金属分裂环阵面(11)设有交替排列的低频分裂环单元(1111)和高频分裂环单元(1112),这两种分裂环单元具有不同的分裂环尺寸和与之相应的不同频率,且均组成中心环绕的二维阵列结构。
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