[发明专利]一种碲锌镉基碲镉汞薄膜的磨抛损伤测试方法在审
| 申请号： | 201611041446.4 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106546619A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 许秀娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种碲锌镉基碲镉汞薄膜的磨抛损伤测试方法。该方法包括对碲锌镉基碲镉汞薄膜进行解理；通过扫描电子显微镜，得到碲镉汞薄膜层解理面的形貌像，并根据形貌像，确认损伤位置，聚焦并标注损伤位置，得到损伤位置的损伤深度和碲镉汞薄膜层的厚度借助于本发明的技术方案，解决了现有技术中碲锌镉基碲镉汞薄膜磨抛损伤的测量难题，不仅能直观快速地获取磨抛损伤的信息，还为磨抛工艺的优化和改进指引了方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲锌镉基碲镉汞 薄膜 损伤 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种碲锌镉基碲镉汞薄膜的磨抛损伤测试方法，所述碲锌镉基碲镉汞薄膜包括碲锌镉衬底层和碲镉汞薄膜层，其特征在于，包括以下步骤：对所述碲锌镉基碲镉汞薄膜进行解理；通过扫描电子显微镜，得到所述碲镉汞薄膜层解理面的形貌像，并根据所述形貌像，确认损伤位置，聚焦并标注所述损伤位置，得到所述损伤位置的损伤深度和所述碲镉汞薄膜层的厚度。
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