[发明专利]一种制备Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池的方法

摘要

本发明涉及一种制备Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池的方法，首先，提供SLG衬底；在所述SLG衬底上磁控溅射Mo靶材形成Mo电极层；然后，在所述Mo电极层上依次溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成叠层AZT前驱体结构；在所述叠层AZT前驱体结构上共同溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成AZT前驱体薄膜；将所述AZT前驱体薄膜硫化退火，形成AZTS半导体薄膜；接着，在所述AZTS半导体薄膜上溅射形成本征ZnO层；在所述本征ZnO层上溅射形成ITO层；最后，在ITO层上蒸发制备银电极层，形成Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池。该方法简单，易于操作，制备得到的AZTS同质结电池，在半导体领域等方面的发展具有十分重要的科学意义。

主权项

一种制备Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池的方法，其特征在于，包括：提供SLG衬底；在所述SLG衬底上磁控溅射Mo靶材形成Mo电极层；在所述Mo电极层上依次溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成叠层AZT前驱体结构；在所述叠层AZT前驱体结构上共同溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成AZT前驱体薄膜；将所述AZT前驱体薄膜硫化退火，形成AZTS半导体薄膜；在所述AZTS半导体薄膜上溅射形成本征ZnO层；在所述本征ZnO层上溅射形成ITO层；在ITO层上蒸发制备银电极层，形成Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池。