[发明专利]一种LED外延片的制备方法

摘要

本发明公开了一种LED外延片的制备方法，该方法可以进一步减少发光面积损失，增加补充层提高量子阱的生长质量，提高反向电压，降低器件内部漏电的同时，还利用In组分渐变的斜阱层，改变阱的禁带宽度，以俘获更多的电子和空穴，增大了电子与空穴的接触面积，提高发光面积，降低电子的运行速度，增大与空穴的接触的有效电子数。

主权项

1.一种LED外延片的制备方法，该制备方法包括如下步骤：（1）准备衬底H₂环境中高温净化衬底；在1000℃~1100℃的H₂气氛下，通入100L/min~130L/min的H₂，保持反应腔压力100mbar~300mbar，处理衬底8min~10min；（2）采用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底上形成外延片所述外延片包括从衬底上由下而上依次生成低温缓冲层、U型氮化镓GaN层、N型GaN层、垒层/阱层/补充层/斜阱层结构的多量子阱层、功能层、发光层和P型GaN层；其特征在于，在步骤（2）中，采用金属有机化合物化学气相沉积法生长10~15个周期的垒层/阱层/补充层/斜阱层结构的多量子阱层：a. 在N₂或N₂/H₂混合气氛、850~870℃条件下生长GaN垒层；b. 在N₂或N₂/H₂混合气氛、650~720℃条件下生长InGaN阱层；c. 补充层的生长：阱层生长结束后，中断金属Ga源的通入，继续通入金属In源，中断时间为10～25s，同时以1.0～1.5℃/s的速度从阱层的生长温度开始升温，形成补充层；d．斜阱层的生长：再继续通入金属Ga源，同时以2.5~3℃/s的速度继续升温，形成In组分渐变的斜阱层；在所述步骤（2）中，所述功能层至少包括3个由下至上依次生长的循环层，所述循环层包括由下至上依次生长的掺硅元素的N型GaN层，掺硅元素、铝元素和铟元素的第一N型铝铟氮化镓AlInGaN层，掺入硅元素、 铝元素和铟元素的第二N型AlInGaN层，且所述掺硅元素的N型GaN层、所述第一N型AlInGaN层和所述第二N型AlInGaN层的掺杂浓度不同。