[发明专利]张应变锗MSM光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开一种张应变锗MSM光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括衬底层，自所述衬底层第一表面向外，依次叠设有牺牲层、含锗层、应力源层、金属层；所述含锗层图形化形成中心区和周围区，所述中心区和所述周围区通过含锗桥梁连接成一体，由所述含锗层中心区、含锗桥梁和含锗周围区围成若干通孔；所述含锗层中心区的正下方无所述牺牲层；所述应力源层贯穿所述通孔和所述牺牲层、并延伸至所述衬底层第一表面；所述金属层嵌入所述应力源层，并与所述含锗层的中心区接通；所述金属层构成光电探测器的正极和负极。本发明光电探测器含锗层中可控的引入大的张应变，张应变达到2.0％以上，从而有效的提高MSM光电探测器的响应度。

主权项

1.一种张应变锗MSM光电探测器，其特征在于：包括衬底层；所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面；自所述第一表面向外，依次叠设有牺牲层、含锗层、应力源层、金属层；所述含锗层图形化形成中心区和周围区，所述中心区和所述周围区通过含锗桥梁连接成一体，由所述含锗层中心区、含锗桥梁和含锗周围区围成若干通孔；所述含锗层中心区的正下方无所述牺牲层；所述应力源层贯穿所述通孔和所述牺牲层、并延伸至所述衬底层第一表面；所述金属层嵌入所述应力源层内部，并与所述含锗层的中心区接通；所述金属层构成所述张应变锗MSM光电探测器的正极和负极；所述中心区的面积为30～700μm2。