[发明专利]基于N型硅片的太阳能电池片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于N型硅片的太阳能电池片及其制备方法，其对N型硅片依次进行清洗制绒、单面镀氮化硅掩膜、三氯氧磷扩散、去掩膜和磷硅玻璃层、镀减反射膜、丝网烧结、功率测试分选步骤后，得到一种基于N型硅片的太阳能电池片，该制备方法以一次镀膜、一次扩散、二次镀膜和二次烧结为主要步骤，大大简化了N型太阳能电池片的制备工艺流程，且使用常规工艺的设备即可进行生产，不需要额外的特殊设备，制备步骤与现有技术相比有所简化，且不仅能适用于标准硅片还适用于非标准硅片。

主权项

一种基于N型硅片的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：(1)将N型硅片置于清洗制绒液中进行清洗和制绒；(2)在制绒后的N型硅片的A面镀45‑50nm厚的氮化硅层作为掩膜；(3)使用三氯氧磷扩散剂对经步骤(2)处理后的N型硅片进行扩散，使N型硅片上与A面相对的B面的表面形成N+极，同时在该B面上形成磷硅玻璃层；(4)将经步骤(3)处理后的N型硅片浸泡在氢氟酸水溶液中进行处理，去除上述N型硅片A面上的氮化硅层掩膜和N型硅片B面上的磷硅玻璃层；(5)在经步骤(4)处理后的N型硅片的B面上镀70‑75nm厚的固态减反射膜；(6)在经步骤(5)处理后的N型硅片的A面印制铝背极后烘干，然后在N型硅片的上述固态减反射膜上印制正电极，将上述印刷好的N型硅片进行低温烧结，该烧结温度不高于750℃；(7)烧结结束后，在N型硅片的铝背极上印制背极后并烘干，然后继续在N型硅片印有背极的一侧印制铝背场后并烘干，将印刷完成的N型硅片进行常规高温烧结，烧结结束后得到基于N型硅片的太阳能电池片。