[发明专利]一种堆叠式单基岛SIP封装工艺

摘要

本发明公开了一种堆叠式单基岛SIP封装工艺，包括以下步骤：步骤一、取具有单基岛的框架；步骤二、在框架上焊接引脚组，切除掉引脚连接端形成引线框架；步骤三、在引线框架的单基岛上点软焊料；步骤四、在点有软焊料的单基岛上贴上第一芯片，然后加热融化软焊料将第一芯片与引线框架焊接；步骤五、在第一芯片的表面点绝缘胶；步骤六、在第一芯片的表面贴上第二芯片，通过绝缘胶浆第二芯片与第一芯片粘接在一起；步骤七、通过金属线将第一芯片与第二芯片连接、第一芯片与引脚连接、第二芯片与引脚连接；步骤八、完成后续的包封、清洗、切割工序。本发明的封装工艺，能够提高集成电路的散热性能，解决了电源管理芯片占用空间大的问题。

主权项

1.一种堆叠式单基岛SIP封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、取具有单基岛的框架；步骤二、在框架上焊接引脚组，所述的引脚组包括若干个用于连接芯片的芯片引脚组，所述的芯片引脚组包括若干个间隔1.27mm且为并排设置芯片引脚(5)，切除掉引脚连接端，然后将芯片引脚组中的奇数行或偶数行的芯片引脚(5)横向折弯，形成两列间隔2.54mm的引脚，形成引线框架；步骤三、在引线框架的单基岛上点软焊料(1)；步骤四、在点有软焊料(1)的单基岛上贴上第一芯片(2)，然后加热到260‑300℃融化软焊料(1)将第一芯片(2)与引线框架焊接在一起；步骤五、在第一芯片(2)的表面点绝缘胶(3)；步骤六、在第一芯片(2)的表面贴上第二芯片(4)，通过绝缘胶(3)浆第二芯片(4)与第一芯片(2)粘接在一起；步骤七、通过金属线将第一芯片(2)与第二芯片(4)连接、第一芯片(2)与引脚连接、第二芯片(4)与引脚连接；步骤八、完成后续的包封、清洗、切割工序；其中，在步骤一所述的框架上贴装散热元件的背部靠近引脚的一端设置成倾斜结构(6)，倾斜结构(6)的宽度为1.5mm，倾斜结构的底端与引脚的间距为0.6mm。