[发明专利]一种Co2O3纳米片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611045944.6 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106629869B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 杨瑞嵩;崔学军;刘春海;陈世文;杨森;胡勇;王静婷 申请(专利权)人: 四川理工学院
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04;C25D3/12
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 代理人: 钟莹洁
地址: 643000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了Co2O3纳米片及其制备方法,制备方法包括以下步骤将硫酸钴、氯化钴、硼酸、柠檬酸三钠和邻磺酰苯甲酰亚胺溶于蒸馏水中配制成镀液,控制每升蒸馏水中硫酸钴的加入量为100~200g、氯化钴的加入量为80~120g、硼酸的加入量为8~15g、柠檬酸三钠的加入量为100~200g、邻磺酰苯甲酰亚胺的加入量为0.2~0.8g;采用ITO导电玻璃作为基片,利用镀液在基片上电镀形成金属钴镀层;采用氧化法对含有金属钴镀层的基片进行氧化,得到Co2O3纳米片。Co2O3纳米片则采用上述制备方法制备得到。本发明原料成本低廉,制备工艺易于产业化,有较大的实用价值;所得产物产量高、纯度高、形貌均一、尺寸分布窄且长径比大。
搜索关键词: 一种 co2o3 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
一种Co2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:A、将硫酸钴、氯化钴、硼酸、柠檬酸三钠和邻磺酰苯甲酰亚胺溶于蒸馏水中配制成镀液,其中,控制每升蒸馏水中硫酸钴的加入量为100~200 g、氯化钴的加入量为80~120 g、硼酸的加入量为8~15 g、柠檬酸三钠的加入量为100~200 g、邻磺酰苯甲酰亚胺的加入量为0.2~0.8 g;B、采用ITO导电玻璃作为基片,利用所述镀液在基片上电镀形成金属钴镀层;C、采用氧化法并采用氧化装置对含有金属钴镀层的基片进行氧化,得到Co2O3纳米片,其中,所述氧化装置包括通过管路依次连接的氩气供给单元、气氛氧化能力调节单元、管式炉和真空泵;所述氩气供给单元包括氩气瓶和设置在氩气瓶的出气管上的调节阀和流量计;所述气氛氧化能力调节单元包括恒温水槽和设置在恒温水槽中的密封容器,所述密封容器中装有蒸馏水,所述氩气供给单元的出气管通入所述密封容器的蒸馏水中;所述管式炉中设置有盛装含有金属钴镀层的基片的瓷盘,所述管式炉的进气管伸入所述密封容器中且高于所述密封容器中的蒸馏水液面;具体步骤为:将含有金属钴镀层的基片放入所述管式炉中并抽真空排出炉内空气,以20~100mL/min的流量向气氛氧化能力调节单元的密封容器中通入氩气,控制所述气氛氧化能力调节单元的恒温水槽的温度为15~35℃并使所述氩气携带水蒸汽进入管式炉中,通氩气20~30分钟之后以60~120℃/h的升温速度将管式炉升温至900~1100℃,保温2~8h后停止加热并随炉冷却至室温,得到Co2O3纳米片。
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