[发明专利]一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件在审

专利信息
申请号: 201611046143.1 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106409638A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 陈军;陈道坤;张志鹏;张国富;邓少芝;许宁生;佘峻聪 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01J35/06 分类号: H01J35/06
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 代理人: 林玉芳,华辉
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件。所述平板X射线源器件包括平行相对的阴极基板、阳极基板和高压绝缘隔离体,所述高压绝缘隔离体设置在阴极基板和阳极基板的边缘,并与所述阴极基板和阳极基板形成一个高真空区。所述阴极基板包括阴极衬底和纳米线冷阴极电子源阵列,所述纳米线冷阴极电子源阵列设置在所述高真空区内的阴极衬底朝向所述阳极基板的一侧,所述阳极基板包括阳极衬底和阳极靶层,所述阳极靶层设于所述高真空区内的阳极衬底朝向阴极基板的一侧。该平板X射线源器件可以双面同时辐射同强度或不同强度的X射线,在新型X射线成像和辐照系统中有重要应用前景。
搜索关键词: 一种 双面 同时 辐射 射线 平板 器件
【主权项】:
一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件,包括平行相对的阴极基板和阳极基板,其特征在于:还包括高压绝缘隔离体,所述高压绝缘隔离体设置在阴极基板和阳极基板的边缘,并与所述阴极基板和阳极基板形成一个高真空区;所述阴极基板包括阴极衬底和纳米线冷阴极电子源阵列,所述纳米线冷阴极电子源阵列设置在所述高真空区内的阴极衬底朝向所述阳极基板的一侧,所述阳极基板包括阳极衬底和阳极靶层,所述阳极靶层设于所述高真空区内的阳极衬底朝向阴极基板的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611046143.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top