[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板在审
申请号: | 201611046296.6 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106328717A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 李云泽;杨妮;齐智坚;李少茹;顾可可 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板,属于显示技术领域。薄膜晶体管包括:设置在衬底基板上的栅极;设置有栅极的衬底基板上设置有栅极绝缘层;设置有栅极绝缘层的衬底基板上设置有有源结构;设置有有源结构的衬底基板上设置有源漏极;其中,有源结构远离衬底基板的表面设置有凹孔,且部分源漏极嵌入凹孔内。本发明解决了TFT的能耗较大的问题,减小了薄膜晶体管的能耗,本发明用于薄膜晶体管。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:设置在衬底基板上的栅极;设置有所述栅极的所述衬底基板上设置有栅极绝缘层;设置有所述栅极绝缘层的所述衬底基板上设置有有源结构;设置有所述有源结构的所述衬底基板上设置有源漏极;其中,所述有源结构远离所述衬底基板的表面设置有凹孔,且部分所述源漏极嵌入所述凹孔内。
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