[发明专利]一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式有效

专利信息
申请号: 201611046665.1 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN106591805B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 王钢;李健;范冰丰;王杰;陈梓敏 申请(专利权)人: 佛山市中山大学研究院;中山大学
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 代理人: 顿海舟;李唐明
地址: 528222 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式。本发明提供一种MOCVD设备喷淋头,包括进气装置、反应腔和旋转基座,所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器,所述整流器设置于反应腔内的顶部;所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管;所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端;所述输运通道中,从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板,所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。本发明提供的输运通道将氧源与MO源在反应腔外掺混完成,防止了预反应的进行,提高了薄膜生长质量,且掺混后的混合气体通过整流器直接均匀喷淋至基片表面,提高生长速率。
搜索关键词: 输运通道 喷射格栅 可调节导流板 反应腔 喷淋头 整流器 氧源 静态混合器 进气方式 进气装置 载气入口 掺混 薄膜生长 混合气体 基片表面 旋转基座 依次设置 初始端 拐角处 起始端 入口管 预反应 喷淋 生长
【主权项】:
1.一种MOCVD设备喷淋头,其特征在于,包括进气装置、反应腔和旋转基座,所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器,所述整流器设置于反应腔内的顶部;所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管;所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端;所述输运通道中,从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板,所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市中山大学研究院;中山大学,未经佛山市中山大学研究院;中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611046665.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top