[发明专利]一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式有效
申请号: | 201611046665.1 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN106591805B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 王钢;李健;范冰丰;王杰;陈梓敏 | 申请(专利权)人: | 佛山市中山大学研究院;中山大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人: | 顿海舟;李唐明 |
地址: | 528222 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式。本发明提供一种MOCVD设备喷淋头,包括进气装置、反应腔和旋转基座,所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器,所述整流器设置于反应腔内的顶部;所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管;所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端;所述输运通道中,从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板,所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。本发明提供的输运通道将氧源与MO源在反应腔外掺混完成,防止了预反应的进行,提高了薄膜生长质量,且掺混后的混合气体通过整流器直接均匀喷淋至基片表面,提高生长速率。 | ||
搜索关键词: | 输运通道 喷射格栅 可调节导流板 反应腔 喷淋头 整流器 氧源 静态混合器 进气方式 进气装置 载气入口 掺混 薄膜生长 混合气体 基片表面 旋转基座 依次设置 初始端 拐角处 起始端 入口管 预反应 喷淋 生长 | ||
【主权项】:
1.一种MOCVD设备喷淋头,其特征在于,包括进气装置、反应腔和旋转基座,所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器,所述整流器设置于反应腔内的顶部;所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管;所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端;所述输运通道中,从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板,所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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