[发明专利]一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法

摘要

本发明公开了一种CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法。本发明的方法包括步骤：S1，采用微区Raman光谱仪，选择Raman光谱测试模式，设定Raman光谱的测试参数，对CaF₂光学元件的聚焦区域进行Raman光谱测试；S2，微区Raman光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试；S3，对所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。本发明提供的CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法能提高检测的精度和准确性。

主权项

1.一种CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法，其特征在于，包括步骤：S1，采用微区拉曼光谱仪，选择拉曼光谱测试模式，设定拉曼光谱的测试参数，对CaF₂光学元件的聚焦区域进行拉曼光谱测试，获得特定波长范围的拉曼光谱；S2，保持上述CaF₂光学元件聚焦状态不变，微区拉曼光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试，获得特定波长范围的荧光光谱；所述CaF₂光学元件的聚焦区域分为没有被辐射区域以及被辐照区域，所述没有被辐射区域测试得到的拉曼光谱为参考拉曼光谱，所述没有被辐射区域测试得到的荧光光谱为参考荧光光谱；S3，对所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试，包括：对所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域设定测试间隔，对测试区域进行Mapping测试，分别得到每个测试点拉曼光谱和荧光光谱；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化，具体为：将得到的每个测试点的拉曼光谱和荧光光谱分别与参考拉曼光谱和荧光光谱相比，比较拉曼特征光谱峰和荧光特征光谱峰强弱的变化，并分别采用样品的拉曼特征峰积分强度和荧光光谱峰积分强度作为标度，对所有的测试测试点和参考点进行Mapping成像；所述拉曼光谱测试的激发激光波长为532nm，所述拉曼光谱的测试范围为100cm^‑1‑1500cm^‑1之间；所述荧光光谱测试的激发激光波长为325nm，所述荧光光谱的测试范围为200nm‑800nm之间；测试模式的切换包括激发光源的切换步骤，在用于拉曼光谱测试的可见光波段激发光源与用于荧光光谱测试的紫外区激发光源之间切换。