[发明专利]一种荆半夏A字立体的栽培方法

摘要

本发明公开了一种荆半夏A字立体的栽培方法，步骤是A、立体栽培设施的设计1）立体栽培形式的选择立体栽培的形式选A字，A字形栽培架顶端夹角为15度，两边安排三层种植槽；2）种植槽的设计种植槽的设计长方形栽培槽；B、立体栽培栽培条件下栽培基质的选择通过试验对比，确定泥炭土、油沙土、黑沙混合基质；C﹑立体栽培栽培条件下栽培基质的除草处理和基肥施入将混合基质进行高温处理，将基质倒入栽培槽，按60g/m2将复合肥混到基质中，复合肥总养分大于48%，氮磷钾比为241014，覆盖基质厚度为3cm混入复合肥。方法易行，操作简便，大幅度提高了亩产量，节省了土地资源，节省人力，降低了栽培成本，提高了荆半夏栽培效益。

主权项

一种荆半夏A字立体的栽培方法，其步骤是：A、立体栽培设施的设计：1)立体栽培形式的选择：立体栽培的形式分为墙体、立柱、A字、层式，半夏为喜阴植物，遮阴程度在55％，A字形式既能保持合适光照度，扩大种植面积，通过试验，确定A字形栽培架顶端夹角为15度，两边安排三层种植槽，每个种植槽宽18－22cm；2)种植槽的设计：种植槽的设计包括材质、长宽高指标、形状、排水部件，材质选用1mm厚镀锌钢板，制作成长0.8－1.2m，宽18－22cm，高10－14cm长方形栽培槽，底面挖三个直径为4－6cm孔，分别装上36目筛网，种植槽能满足立体栽培，暴雨条件下能排水；B、立体栽培栽培条件下栽培基质的选择：立体栽培基质对半夏生长的影响、经济性、与后续机械化操作相匹配性，设计基质配方：20％体积比泥炭土+30％体积比油沙土+50％体积比黑沙，按比例配制好栽培基质后，获得混合基质；C﹑立体栽培栽培条件下栽培基质的除草处理和基肥施入：将混合基质进行高温处理，95‑100℃处理14－16min，杀死了其中杂草种子或根，然后将基质倒入栽培槽，基质高度控制在7－9cm，按60g/m2将复合肥混到基质中，复合肥总养分大于48％，氮磷钾比为24:10:14，将半夏种茎放置其中，然后覆盖基质厚度为3cm混入复合肥；D、日常管理包括两部分，一是水分管理，二是光照管理，栽培基质干了浇水，在光照强度中午，将遮阳网拉下，部分遮阴提高半夏产量。