[发明专利]二维纳米片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611048765.8 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN106587087B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 张瑞;郑国义;郑杰思 申请(专利权)人: 深圳市循真科技有限公司
主分类号: C01B35/00 分类号: C01B35/00;B82Y40/00;B42D25/305;B42D25/40
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种二维纳米片及其制备方法,该二维纳米片的制备方法包括以下步骤:(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;(3)导入培养基:混合所述混合物一和混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,对导入到培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,生成二维纳米片,其具有与固定形态的培养基相匹配的形状。通过该方法制备的二维纳米片生产工艺简单,可存储大量信息。
搜索关键词: 二维 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种二维纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;(3)导入培养基:混合所述混合物一和所述混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,对导入到所述固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,生成二维纳米片,所述二维纳米片具有与所述固定形态的培养基相匹配的形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市循真科技有限公司,未经深圳市循真科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611048765.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top