[发明专利]二维纳米片及其制备方法有效
申请号: | 201611048765.8 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN106587087B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 张瑞;郑国义;郑杰思 | 申请(专利权)人: | 深圳市循真科技有限公司 |
主分类号: | C01B35/00 | 分类号: | C01B35/00;B82Y40/00;B42D25/305;B42D25/40 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维纳米片及其制备方法,该二维纳米片的制备方法包括以下步骤:(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;(3)导入培养基:混合所述混合物一和混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,对导入到培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,生成二维纳米片,其具有与固定形态的培养基相匹配的形状。通过该方法制备的二维纳米片生产工艺简单,可存储大量信息。 | ||
搜索关键词: | 二维 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种二维纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;(3)导入培养基:混合所述混合物一和所述混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,对导入到所述固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,生成二维纳米片,所述二维纳米片具有与所述固定形态的培养基相匹配的形状。
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