[发明专利]一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、Mo背电极、梯度禁带宽度吸收层、n型CdS缓冲层、本征氧化锌绝缘层、导电层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CIGS吸收层和p型CdTe吸收层。本发明利用CIGS基吸收层和CdTe吸收层组成梯度吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，进一步提升了太阳电池转换效率。

主权项

1.一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、Mo背电极、梯度禁带宽度吸收层、n型CdS缓冲层、本征氧化锌绝缘层、导电层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CIGS吸收层和p型CdTe吸收层；所述p型CIGS吸收层的厚度为1.0～1.5μm；所述p型CIGS吸收层中Ga的掺杂量为0～30％；所述导电层为锡酸镉导电层；采用三步共蒸发法在Mo背电极表面沉积p型CIGS，形成p型CIGS吸收层，所述三步共蒸发法制备P型CIGS吸收层包括以下步骤：(a)将上一步得到的溅射有Mo背电极的太阳能电池半成品作为第一基底，在真空条件下分别加热基底、铟源、镓源和硒源温度至400℃～550℃、800℃～850℃、900℃～950℃和270℃～300℃，首先在第一基底上进行铟、镓和硒沉积，得到(In,Ga)2Se3前驱膜；(b)(In,Ga)2Se3前驱膜沉积完成后，停止铟、镓沉积，在(In,Ga)2Se3前驱膜上沉积铜和硒，形成铜硒合金相；(c)形成铜硒合金相后，停止铜的沉积，进行铟、镓和硒的共同沉积，得到p型CIGS吸收层。