[发明专利]一种IGBT模块内部芯片结温测试方法在审
| 申请号： | 201611050121.2 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106771946A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王志超;卢小东;徐妙玲;季莎;崔志勇;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 尹振启,张宇锋 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT模块内部芯片结温测试方法，该测试方法为首先将IGBT芯片焊接在覆铜的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁设定距离处焊接一个二极管芯片，二极管芯片的上表面是阳极，下表面是阴极；通过铝线键合方式，将二极管芯片的两个电极引出到陶瓷基板的覆铜层上，然后覆铜层再通过铝线键合方式引出到外接的二极管芯片阳极端子和阴极端子上；通过测量电路获得所述二极管芯片阳极端子和阴极端子之间的管压降，根据二极管的正向导通压降值和温度的线性关系计算出二极管芯片的温度，进而表征所述IGBT芯片的温度。本方法中由于二极管芯片非常靠近IGBT芯片，温度的反馈会更精准快速，避免了IGBT模块由于瞬间温升情况而引起的失效情况的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 内部 芯片 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT模块内部芯片结温测试方法，其特征在于，所述测试方法为：首先将IGBT芯片焊接在覆铜的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁设定距离处焊接一个二极管芯片，所述二极管芯片的上表面是阳极，下表面是阴极；通过铝线键合方式，将所述二极管芯片的两个电极引出到所述陶瓷基板的覆铜层上，然后覆铜层再通过铝线键合方式引出到外接的二极管芯片阳极端子和阴极端子上；通过测量电路获得所述二极管芯片阳极端子和阴极端子之间的管压降，根据二极管的正向导通压降值和温度的线性关系计算出二极管芯片的温度，进而表征所述IGBT芯片的温度。
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