[发明专利]一种GaN-ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途有效
申请号: | 201611050179.7 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN106544729B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 宫建茹;张凯;亚瑟·阿巴斯 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | C30B29/10 | 分类号: | C30B29/10;C30B29/62;C30B25/00;C25B11/06;C25B1/04 |
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摘要: | 本发明公开了一种GaN‑ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途。本发明的固溶体纳米线的平均直径为50~150nm,长度为5~50μm,其中ZnO摩尔百分含量为15~95%。本发明的方法包括:将GaN、Ga2O3、和ZnO粉末混合装入一个容器,将ZnO和石墨粉末混合装入另一个容器,将这两个容器和衬底放入一端封口一端开口的小石英管,再把小石英管放入大石英管,抽真空、加热且通有载气和氨气,在衬底上生长得到固溶体纳米线。本发明的方法简单,反应参数易控,制备的GaN‑ZnO固溶体纳米线尺寸均匀,结晶良好,作为催化剂应用于太阳能光催化分解水制氢的性能优异,最高产氢速率达到1.3mmol h‑1g‑1。 | ||
搜索关键词: | 一种 gan zno 固溶体 纳米 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种GaN‑ZnO固溶体纳米线的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)将GaN、Ga2O3和ZnO粉末混合,得到第一原料;(2)将ZnO和石墨粉末混合,得到第二原料;(3)将第一原料和第二原料分别装入两个容器中;(4)将装有第一原料的容器、装有第二原料的容器以及衬底放置于一端封口一端开口的石英管中,再把所述石英管放置于反应炉中,从反应炉的靠近石英管开口端的一侧抽真空,加热,使装有第一原料的容器的温度升至T1=850℃~950℃,保温15min~30min;(5)继续加热,当装有第一原料的容器的温度升至T1’=1125℃~1225℃,装有第二原料的容器的温度升至T2=850℃~950℃,衬底的温度升至T3=650℃~850℃时,从反应炉的靠近石英管封口端的一侧通入载气和氨气;(6)在通有上述载气和氨气,抽真空状态,以及步骤(5)所述的T1’、T2和T3满足的条件下保温15min~45min,获得在衬底上的GaN‑ZnO固溶体纳米线;所述固溶体纳米线的平均直径为50nm~150nm,所述固溶体纳米线的长度为5μm~50μm。
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