[发明专利]一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201611050405.1 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106549031B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;郑亮;戴亚伟;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L29/778;H01L33/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;陆尤<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底上，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极；以及Fin‑HEMT，位于所述GaN衬底上，包括多个鳍片、栅极和源极，其中，所述多个鳍片以一定间隔平行设置，所述栅极沿着垂直于所述鳍片的延伸方向而延伸，并且覆盖鳍片的侧面，所述源极位于所述鳍片的一端，所述鳍片的另一端与所述n型GaN层接触。本发明采用Fin‑HEMT器件作为LED器件的驱动，可以实现对LED器件发光强度的精确控制，同时单片集成有助于降低寄生电容，电阻，减小封装复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan 材料 单片 集成 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于体GaN材料的单片集成器件，其特征在于，包括：/nGaN衬底；/n发光二极管，位于所述GaN衬底上，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型 GaN层和顶电极；以及/nFin-HEMT，位于所述GaN衬底上，包括多个鳍片、栅极和源极，其中，所述多个鳍片以一定间隔平行设置，所述栅极沿着垂直于所述鳍片的延伸方向而延伸，并且覆盖鳍片的侧面，所述源极位于所述鳍片的一端，所述鳍片的另一端与所述n型GaN层接触；/n所述发光二极管对应的GaN衬底区域的厚度小于所述Fin-HEMT对应的GaN衬底区域的厚度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611050405.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种曝光装置
- 下一篇：一种适用于低化学处理光敏CTP版材的显影液
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
