[发明专利]一种中置柜及基于有限元分析的中置柜损耗优化方法在审
| 申请号： | 201611050965.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108110670A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘旭光;顾茜;顾小虎;于春雷;丁永生;姜富修;杜丽 | 申请（专利权）人： | 上海置信电气非晶有限公司;江苏南瑞帕威尔电气有限公司 |
| 主分类号： | H02B13/02 | 分类号： | H02B13/02;H05K9/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201701 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种中置柜，所述中置柜中设有断路器，断路器导通或闭合时会对中置柜柜体产生涡流磁场，涡流磁场对柜体产生涡流损耗；在上述涡流磁场中设置高磁导率材料。其优点是：利用变压器中的磁屏蔽原理将高磁导率材料放在开关柜的涡流磁场中，涡流磁场将进入磁导率较大材料中，大大降低柜体中的磁通量，从而使得涡流损耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 涡流磁场 中置柜 柜体 高磁导率材料 涡流损耗 断路器导通 闭合 磁导率 磁屏蔽 磁通量 断路器 开关柜 变压器 优化 分析 | ||
【主权项】：
1.一种中置柜，其特征在于：所述中置柜中设有断路器（2），断路器（2）导通或闭合时会对中置柜柜体产生涡流磁场，涡流磁场对柜体产生涡流损耗；在上述涡流磁场中设置高磁导率材料（1）。
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