[发明专利]一种改进的结型场效应管有效
| 申请号： | 201611051259.4 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106549036B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 温岭腾科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 33229 台州蓝天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张洪涛<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 317500 浙江省台州市温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉公开了一种改进的结型场效应管，P型衬底；N型注入区；P型注入区；P型重掺杂区；N型重掺杂的漏区和源区；所述漏区与所述P型注入区之间的第一绝缘隔离层；所述源区与所述P型注入区之间的第二绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层下的N型注入区上表层中形成P型掺杂区，所述P型掺杂区上表层中形成N型掺杂区，所述N型注入区与P型掺杂区构成的PN结与P型掺杂区与N型掺杂区构成的PN结相连，形成第一常闭型JFET结构。本发明的结型场效应晶体管耐压性能得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种改进的结型场效应管，包括：P型衬底，所述P型衬底作为背栅；在所述P型衬底的上表层中形成N型注入区；在所述N型注入区的上表层中形成的P型注入区，所述P型注入区作为正栅；在所述P型注入区的上表层中形成的P型重掺杂区；在所述N型注入区上表层的两端形成的N型重掺杂的漏区和源区，正栅靠近所述源区；所述漏区与所述P型注入区之间的N型注入区上形成的第一绝缘隔离层；所述源区与所述P型注入区之间的N型注入区上形成的第二绝缘隔离层，其特征在于：所述第一绝缘隔离层下的N型注入区上表层中形成P型掺杂区，所述P型掺杂区上表层中形成N型掺杂区，所述N型注入区与P型掺杂区构成的PN结与P型掺杂区与N型掺杂区构成的PN结相连，形成第一常闭型JFET结构；所述N型掺杂区与漏区电性相连，所述第一常闭型JFET结构个数大于1,相邻两个第一常闭型JFET结构的P型掺杂区与这两个P型掺杂区之间的N型注入区分别构成的PN结相连，形成第二常闭型JFET结构，部分所述第一绝缘隔离层上以及与之相连的部分P型注入区上形成第一多晶硅场板，所述第一多晶硅场板与P型重掺杂区接触，所述漏区包括第一漏区和第二漏区，第二漏区形成在N型注入区上表层的一端，第一漏区形成在第二漏区上表层中，第二漏区掺杂浓度大于N型注入区且小于第一漏区，部分所述第一绝缘隔离层上以及与之相连的部分第二漏区上形成第二多晶硅场板，所述第二多晶硅场板与第一漏区接触，N型掺杂区通过第二多晶硅场板与漏区电性相连。/n
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