[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201611051952.1 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106409915A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括半导体衬底，漂移区，栅氧化层，多晶硅栅极，体区，源区，源极以及漏极，导电类型与源区相同的半导体导电增强区形成在栅氧化层对着的体区内部，同时绝缘介质区形成在源区远离栅氧化层一侧，形成在所述源区上表面的源极也形成在绝缘介质区上表面以及远离栅氧化层的绝缘介质区的一侧表面，发明在不减小击穿电压的情况下，有效减小器件导通电阻，提高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括半导体衬底；形成在半导体衬底正面的漂移区；依次形成在漂移区表面上的栅氧化层和多晶硅栅极；依次形成在漂移区表面内的体区和位于体区内的源区，体区和源区位于多晶硅栅极的两侧；形成在源区表面的源极；形成在半导体衬底背面的漏极，其特征在于：导电类型与源区相同的半导体导电增强区形成在栅氧化层对着的体区内部，且所述导电增强区与体区所能形成的整个pn结耗尽层也在体区内部，同时绝缘介质区形成在源区远离栅氧化层一侧，形成在所述源区上表面的源极也形成在绝缘介质区上表面以及远离栅氧化层的绝缘介质区的一侧表面。
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