[发明专利]正压晶圆表面改性装置在审

专利信息
申请号: 201611052519.X 申请日: 2016-11-25
公开(公告)号: CN108109936A 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 魏猛 申请(专利权)人: 沈阳芯源微电子设备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 汪海
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及半导体晶片加工领域,具体地说是一种正压晶圆表面改性装置,包括上密封盖、下密封体和加热盘,其中加热盘设置于下密封体中,上密封盖设置于所述下密封体上方,在所述上密封盖的中部设有进气口,在所述上密封盖的边缘设有排废口,在所述下密封体边缘设有补充气体口,且所述排废口和补充气体口与所述上密封盖和下密封体之间的密封反应腔室相通;装置工作时加工用药液气体由所述进气口流入,氮气由补充气体口流入。本发明可以快速安全的对加工晶圆进行表面改性处理,将原有技术对机械部件装配调试的复杂过程简化,并且减少药液的使用量,提升药液在晶圆表面的有效面积内的沉积均匀性。
搜索关键词: 上密封盖 下密封体 补充气体 晶圆表面 进气口 改性装置 加热盘 排废口 正压 半导体晶片加工 氮气 表面改性处理 沉积均匀性 复杂过程 机械部件 快速安全 密封反应 有效面积 液气体 晶圆 腔室 加工 装配 调试 相通
【主权项】:
1.一种正压晶圆表面改性装置,其特征在于:包括上密封盖(3)、下密封体(6)和加热盘(5),其中加热盘(5)设置于下密封体(6)中,上密封盖(3)设置于所述下密封体(6)上方,在所述上密封盖(3)的中部设有进气口(1),在所述上密封盖(3)的边缘设有排废口(2),在所述下密封体(6)边缘设有补充气体口(7),且所述排废口(2)和补充气体口(7)与所述上密封盖(3)和下密封体(6)之间的密封反应腔室相通;装置工作时加工用药液气体由所述进气口(1)流入,氮气由补充气体口(7)流入。
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