[发明专利]绝缘体上半导体结构以及制备方法有效
| 申请号： | 201611052552.2 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106409750B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王敬;孙川川;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成砷化物过渡层和砷化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述砷化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述缘层上半导体结构。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用砷化物晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对绝缘体上半导体结构造成的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备绝缘体上半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：(1)在基底的上表面依次形成砷化物过渡层和砷化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述砷化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述绝缘体上半导体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
