[发明专利]高增益双频双圆极化共口径平面阵列天线有效
| 申请号： | 201611052795.6 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106356622B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 汪敏;仵娜;殷玉凤;徐诺;王道雨;吴文 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/00;H01Q21/24;H01Q5/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 吴茂杰 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高增益双频双圆极化共口径平面阵列天线，包括辐射阵列(1)、第一频率功分器(2)和第二频率功分器(3)，所述第一频率功分器(2)和第二频率功分器(3)分别连接在辐射阵列(1)的左、右两端。本发明的高增益双频双圆极化共口径平面阵列天线，极化隔离度好、频率隔离度高。 | ||
| 搜索关键词： | 增益 双频 极化 口径 平面 阵列 天线 | ||
【主权项】：
1.一种高增益双频双圆极化共口径平面阵列天线，其特征在于：包括辐射阵列(1)、第一频率功分器(2)和第二频率功分器(3)，所述第一频率功分器(2)和第二频率功分器(3)分别连接在辐射阵列(1)的左、右两端；所述辐射阵列(1)包括上金属接地板(11)、中金属接地板(12)、下金属接地板(13)，所述上金属接地板(11)与中金属接地板(12)之间层压上介质基板(14)，中金属接地板(12)与下金属接地板(13)之间层压下介质基板(15)；所述中金属接地板(12)与下金属接地板(13)由穿过下介质基板(15)的多个金属通孔(41)相连；所述多个金属通孔(41)排列成4个开口向右的U形右馈电腔(51、52、53、54)和4个开口向左的U形左馈电腔(61、62、63、64)，所述右馈电腔(51、52、53、54)与左馈电腔(61、62、63、64)交错排列；每个右馈电腔(51、52、53、54)由等间距横向排列的金属通孔(41)构成两个平行的准电壁和等间距纵向排列的金属通孔(41)构成的短路壁连接而成，短路壁的上下两端分别与两个平行的准电壁的左端相连，在中金属接地板(12)上与所述两个平行的准电壁的中心线的两侧交错刻蚀有多条等长的横向缝(55、56)，每个左馈电腔(61、62、63、64)由等间距横向排列的金属通孔(41)构成两个平行的准电壁和等间距纵向排列的金属通孔(41)构成的短路壁连接而成，短路壁的上下两端分别与两个平行的准电壁的右端相连，在中金属接地板(12)上与所述两个平行的准电壁的中心线的两侧交错刻蚀有多条等长的横向缝(65、66)，每个右馈电腔(51、52、53、54)的开口与第二频率功分器(3)的一个输出端口对应，每个左馈电腔(61、62、63、64)的开口与第一频率功分器(2)的一个输出端口对应。
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