[发明专利]ZnO薄膜激光烧蚀制作方法在审
| 申请号： | 201611053039.5 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106548932A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘全生;孙海鹰;米晓云;王能利;柏朝晖;张希艳;卢利平;王晓春 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | ZnO薄膜激光烧蚀制作方法属于光学功能材料技术领域。现有用来制作ZnO薄膜的方法实施起来十分不易。本发明之ZnO薄膜激光烧蚀制作方法属于一种Sol‑Gel法，其特征在于，将乙酸锌溶于有机溶剂，加入与锌离子等物质量的乙醇胺，搅拌后得溶胶液；将所述溶胶液旋涂于基片上，低温热处理得凝胶膜；采用激光烧蚀所述凝胶膜，激光功率为5～30W，烧蚀时间为1～1000sec，激光光源出光口与凝胶膜之间的距离为1～50cm，得ZnO薄膜。相比于现有脉冲激光沉积法，本发明之方法既不需要真空环境，也不需要特殊的保护气氛，工艺条件比较宽松；不需要制作ZnO陶瓷靶，使得薄膜的制作方法大为简化。 | ||
| 搜索关键词： | zno 薄膜 激光 制作方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO薄膜激光烧蚀制作方法，属于一种Sol‑Gel法，其特征在于，将乙酸锌溶于有机溶剂，加入与锌离子等物质量的乙醇胺，搅拌后得溶胶液；将所述溶胶液旋涂于基片上，低温热处理得凝胶膜；采用激光烧蚀所述凝胶膜，激光功率为5～30W，烧蚀时间为1～1000sec，激光光源出光口与凝胶膜之间的距离为1～50cm，得ZnO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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