[发明专利]一种通用版图临近效应表征模型及其提取方法有效
| 申请号： | 201611053506.4 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106446476B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;商干兵;俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通用版图临近效应表征模型及其提取方法，该方法包括如下步骤：设计LPE模型的器件结构；测量与LPE模型相关的数据；引入与陪衬多晶硅尺寸相关的函数，建立LPE模型；调整所建立的LPE模型的参数，对与陪衬多晶硅尺寸相关的LPE模型进行曲线拟合；若拟合结果满足要求，则对所建立的LPE模型进行模型验证；本发明通过调整与陪衬多晶硅尺寸相关的参数，可以使得该模型更准确表征与器件在不同周边环境下的特性，从而建立更为精确且更实用的模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通用 版图 临近 效应 表征 模型 及其 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通用版图临近效应表征模型的建模方法，其特征在于：在原有模型中加入与陪衬多晶硅尺寸相关的函数，通过调整模型中与陪衬多晶硅尺寸相关的模型参数，以对该模型进行曲线拟合，从而建立更为精确的器件模型；所述模型于第一表征因子中引入与dummy poly尺寸相关的参数；所述第一表征因子采用如下公式计算：f(psf,wdummy,ldummy)＝A*pwr((psf*scale_mos),alpha)*aw*pwr(scale_mos*wdummy,Aw)*al*pwr(scale_mos*ldummy,Al)其中，psf为陪衬多晶硅与栅极之间的距离，scale_mos为比例因子，wdummy为陪衬多晶硅的宽，ldummy为陪衬多晶硅的长，pwr是求幂函数，A，alpha，aw，Aw，al，Al为比例系数。
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