[发明专利]一种体心立方钽涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201611053723.3 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108103463B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 牛云松;朱圣龙;陈明辉;沈明礼;鲍泽斌;王福会;王世臣;杨军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所;东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明涉及材料科学领域，特别涉及一种体心立方钽涂层的制备方法。采用负辉光区磁控溅射方法，基片零件放置在阳极与阴极之间的负辉光区内，基片加热温度在200～400℃之间，使用的电源为直流电源或脉冲电源，靶材为纯钽，工作气体为Ar，溅射功率密度为3W/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 立方 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种体心立方钽涂层的制备方法，其特征在于：采用负辉光区磁控溅射获得体心立方钽涂层，涂层中α-Ta的含量在97wt％以上，钽涂层厚度为10～100μm。
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