[发明专利]一种甘薯育种选种方法在审
| 申请号： | 201611054069.8 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106489350A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 黎敦涌;谢慧敏;黄燕;赵承菊;朱祖成 | 申请（专利权）人： | 河池市农业科学研究所 |
| 主分类号： | A01C1/00 | 分类号： | A01C1/00;A01G1/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人： | 杨晶晶 |
| 地址： | 546306 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开一种甘薯育种选种方法，所述方法包括如下步骤（1）选择优良的甘薯母本，将准备好的材料浸入50％多菌灵加水500倍的溶液中，密封放置在黑暗处控制温度为25‑28℃，浸泡15‑24h；（2）将浸泡过的甘薯材料，用淘米水冲洗干净后，用钴60γ辐射源以辐射剂量为6000‑5000伦琴的范围内进行射线辐射，然后再用He‑Ne激光照射20‑30min；（3）苗床施复合基肥，控制扦插温度25‑27℃，株行距规格5×8cm进行扦插；（4）扦插育苗成活后移栽，及时补水施肥，淘汰不良植株。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 甘薯 育种 选种 方法 | ||
【主权项】：
一种甘薯育种选种方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：（1）选择优良的甘薯母本，将准备好的材料浸入50％多菌灵加水500倍的溶液中，密封放置在黑暗处控制温度为25‑28℃，浸泡15‑24h；（2）将浸泡过的甘薯材料，用淘米水冲洗干净后，用钴60γ辐射源以辐射剂量为6000‑5000伦琴的范围内进行射线辐射，然后再用He‑Ne激光照射20‑30min；（3）苗床施复合基肥，控制扦插温度25‑27℃，株行距规格5×8cm进行扦插；（4）扦插育苗成活后移栽，及时补水施肥，淘汰不良植株。
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