[发明专利]一种基于分子印迹膜的有机电化学晶体管传感器有效
| 申请号： | 201611055031.2 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106770515B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 邱龙臻;张利君;吴迪 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏;何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于分子印迹膜的有机电化学晶体管传感器，其特征在于：有机电化学晶体管传感器的栅极采用分子印迹膜修饰的金电极，其是以待检测物为模板分子、与相应功能单体通过循环伏安法进行聚合，先在金电极表面形成聚合物膜，再将聚合物膜中的模板分子洗脱掉而获得；栅极通过待检测物的溶液对源极、漏极之间的沟道电流进行调控，构成用于选择性识别待检测物的有机电化学晶体管传感器。本发明将分子印迹技术与有机电化学晶体管器件相结合，利用分子印迹技术的特异性选择与有机电化学晶体管传感器的信号放大功能，对待检测物进行特异性识别，能对微量甚至痕量的待检测物进行选择性吸附，其选择性好、灵敏度高、检测限低。 | ||
| 搜索关键词： | 有机电化学 晶体管传感器 待检测物 分子印迹膜 分子印迹技术 聚合物膜 模板分子洗脱 信号放大功能 金电极表面 晶体管器件 特异性识别 选择性识别 选择性吸附 循环伏安法 功能单体 沟道电流 模板分子 灵敏度 检测物 金电极 痕量 漏极 源极 修饰 聚合 调控 检测 | ||
【主权项】：
1.一种基于分子印迹膜的有机电化学晶体管传感器，其特征在于：所述有机电化学晶体管传感器包括源极、漏极和栅极；所述源极和漏极之间通过有机半导体材料连通；所述栅极采用分子印迹膜修饰的金电极；所述分子印迹膜修饰的金电极是以待检测物为模板分子，与相应功能单体通过循环伏安法进行聚合，先在金电极表面形成厚度为50～150nm的分子印迹聚合物膜，再将分子印迹聚合物膜中的模板分子洗脱掉而获得；所述栅极通过待检测物的溶液对源极、漏极之间的沟道电流进行调控，构成用于选择性识别待检测物的有机电化学晶体管传感器。
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