[发明专利]一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法。本发明的荧光标记载体包括：纳米管内壁、量子结构和纳米管外壁；本发明根据拟运载物的特点设计纳米管结构的尺寸，通过控制生长条件进行精确调控纳米管结构的尺寸；固定温度退火过程，保证核‑壳结构中的纳米线完全分解，并不破坏限制于纳米管内壁和纳米管外壁之间的量子结构；纳米管的荧光标记部分采用半导体量子结构，具有荧光强度高，持续时间长，光化学性质稳定，不易发生光漂白，高效率辐射复合；并且，可以采用连续宽谱激发，吸收系数大，荧光发射峰窄，无波长拖尾，可辨识度高；纳米管结构既可实现管内的运载物的荧光标记运载，还能进行传统的包裹式或结合式荧光标记运载。

主权项

1.一种基于纳米管的荧光标记载体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供生长衬底，生长衬底具有适合纳米线直立生长的晶面；2)根据运载物的性质，设置纳米管结构的参数，纳米管结构的参数包括纳米管结构的内径、长度、纳米管内壁和纳米管外壁的厚度；3)在生长衬底上直立生长纳米线，通过控制生长源的束流比和生长时间，控制纳米线的直径和高度；4)在纳米线外生长纳米管内壁，通过控制生长源的束流比和生长时间，控制纳米管内壁的厚度，纳米管内壁包裹纳米线的侧壁和顶端；5)根据检测波段，设计发光波长与检测波段一致的量子结构，在纳米管内壁的顶端生长量子结构；6)在纳米管内壁的侧壁以及量子结构的表面生长纳米管外壁，通过控制生长源的束流比和生长时间，控制纳米管外壁的厚度，纳米管外壁包裹纳米管内壁的侧壁及其上的量子结构，形成核‑壳结构；7)将核‑壳结构从生长衬底上转移至耐高温衬底上；8)在固定温度下进行高温退火处理，核‑壳结构内部的纳米线分解，得到包括纳米管内壁、纳米管外壁和量子结构的纳米管结构；9)对纳米管结构进行清洁处理，得到洁净的纳米管结构；10)将纳米管结构分散至溶液中，采用离心法，提取尺寸均匀的纳米管结构；11)将运载物置入纳米管结构内，实现基于纳米管结构的对运载物荧光标记的输运。