[发明专利]一种肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以P‑型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有二氧化钛纳米管阵列，在二氧化钛纳米管阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为二氧化钛纳米管阵列的面积的1/4到1/3；在绝缘层上覆盖有双层或三层氮掺杂石墨烯，双层或三层氮掺杂石墨烯一部分与绝缘层接触，剩余部分覆盖在二氧化钛纳米管阵列上；在双层或三层氮掺杂石墨烯上设置有金属电极层。本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备成本低、无污染、且光探测能力强的紫外光电探测器，为石墨烯和氧化锌纳米结构在紫外光电探测器的应用中奠定了基础。

主权项

基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器，其特征是：以P‑型硅基底层(1)作为衬底，在所述P‑型硅基底层(1)的上表面沿垂直方向生长有二氧化钛纳米管阵列(2)，在所述二氧化钛纳米管阵列(2)的上表面覆盖有绝缘层(3)，所述绝缘层(3)的面积为所述二氧化钛纳米管阵列(2)的面积的1/4到1/3，所述绝缘层(3)的边界不超出所述二氧化钛纳米管阵列(2)的边界；在所述绝缘层(3)上覆盖有双层或三层氮掺杂石墨烯(4)，所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)一部分与所述绝缘层(3)接触，剩余部分覆盖在所述二氧化钛纳米管阵列(2)上，所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)的边界不超出所述二氧化钛纳米管阵列(2)的边界；在双层或三层氮掺杂石墨烯(4)上设置有金属电极层(5)，所述金属电极层(5)与所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)呈欧姆接触，所述金属电极层(5)的边界不超出所述绝缘层(3)的边界。