[发明专利]一种异质结型光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201611056818.0 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN106531824A | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 罗雷 | 申请(专利权)人: | 罗雷 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528000 广东省佛山市三水*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种异质结型光电探测器及其制备方法,是由p型钐掺杂氮化镓纳米线与n型石墨烯构筑成的异质结光电探测器。本发明光电探测器对可见光非常敏感,响应度及增益较高并且响应速度较快,为纳米材料在光电器件中的应用和集成提供了良好的基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结型 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于钐掺杂氮化镓纳米线的异质结型光电探测器,其特征是具有如下结构:在硅基底(1)的表面覆有二氧化硅层(2),在二氧化硅层(2)的表面分散有平铺的钐掺杂氮化镓纳米线(4),在所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)的两端分别设置有欧姆电极(3)作为输出一极,所述欧姆电极(3)与所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)呈欧姆接触;在所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)上交叠覆有石墨烯(5),所述石墨烯(5)位于两个欧姆电极(3)之间且与欧姆电极(3)隔离;在所述石墨烯(5)上设置有欧姆电极(6)作为另一输出极,所述欧姆电极(6)与所述石墨烯(5)呈欧姆接触且与钐掺杂氮化镓纳米线(4)和欧姆电极(3)隔离;所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)为P型钐掺杂氮化镓纳米线;所述石墨烯(5)为N型石墨烯;所述欧姆电极(3)和欧姆电极(6)为金电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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