[发明专利]微阵列芯片的制备方法及其在干细胞类脑发育中的应用在审
| 申请号： | 201611057478.3 | 申请日： | 2016-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN108117985A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 秦建华;王丽;朱玉娟;陶婷婷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C12M3/00 | 分类号： | C12M3/00;C12N5/079;C12N5/0793 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 郑虹 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微阵列芯片的制备方法及其在干细胞类脑发育中的应用，利用芯片上的阵列微柱结构围成的有限空间形成高通量的人干细胞的3D类脑组织。该方法可以高通量形成大小均一的类脑组织，并可以原位动态观察脑微组织的生长、发育全过程。脑组织可以进一步切片染色，评估微观细胞尺度的变化。具有简化实验操作步骤，高通量、原位动态观察人脑发育的优势，无需特殊的仪器和试剂，可与其他技术集成化。主要用于人脑发育学、脑神经疾病模型构建、神经系统药物及毒物评估等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 发育 高通量 脑组织 原位动态观察 微阵列芯片 干细胞 人脑 制备 神经系统药物 实验操作步骤 技术集成化 脑神经疾病 空间形成 模型构建 切片染色 人干细胞 微观细胞 毒物 微组织 评估 均一 微柱 应用 尺度 芯片 生长 | ||
【主权项】：
一种微阵列芯片的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：(1)利用软蚀刻技术制备高通量凹陷小坑的SU‑8模板，对模板进行低黏附修饰，确保SU‑8与PDMS聚合物容易剥离；(2)制作高通量阵列微柱结构的PDMS聚合物芯片：将PDMS与引发剂按照体积比10～14：1混合，浇注到SU‑8模板上，真空除泡，80℃加热固化1～2h，常温剥离SU‑8模板，得到高通量的固定间距的阵列微柱结构PDMS芯片；(3)在PDMS芯片周边用PDMS模块围起形成局限的开放培养池，放于80℃烘箱内加热40～60分钟，得到微阵列芯片。
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