[发明专利]单行载流子光探测器结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法，利用分步腐蚀的方法，制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构，使得器件电容大大减小，在相同吸收层厚度条件下，提高了器件的RC响应带宽，进而提高了器件的总带宽；在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同)，器件具有更大的吸收层面积，因而具有更大的响应度，可以在更高入射光功率下工作，在高速高功率应用中性能提升更为明显，适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。

主权项

1.一种单行载流子光探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：S1：在半绝缘衬底上从下到上依次生长N型重掺杂下接触层、收集层、吸收层、及P型重掺杂上接触层；S2：对S1所得结构进行光刻，并采用选择性腐蚀溶液对P型重掺杂上接触层及吸收层进行腐蚀，暴露出部分收集层；S3：在S2所得结构上表面生长氮化硅层，并采用光刻工艺去除收集层上表面的氮化硅层；S4：采用选择性腐蚀溶液对所述收集层进行腐蚀，使所述收集层的面积与所述吸收层的面积相等，之后对所述收集层继续腐蚀，直至所述收集层的面积小于所述吸收层的面积，然后去除氮化硅层；S5：采用光刻、带胶剥离工艺在所述P型重掺杂上接触层上表面生长上电极金属层，及在所述N型重掺杂下接触层上表面生长下电极金属层，然后退火，形成欧姆接触；S6：对S5所得结构进行平坦化处理，及制作金属引线和焊盘，最后解理，完成器件制作。