[发明专利]一种红外窄带辐射源及其制备方法有效
申请号: | 201611059137.X | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN106768352B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 王少伟;郝加明;刘星星;李志伟;李华芬;许昊;陆卫;文政绩;戴宁;陈效双 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00 |
代理公司: | 31213 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外窄带辐射源及其制备方法。该辐射源由多层膜结构组成,包括金属层、介质腔层和介质布拉格反射镜。介质腔层厚度和介质布拉格反射镜的厚度可以调节红外窄带辐射源的辐射中心波长。膜系的制备方法可以采用磁控溅射、离子束溅射、电子束蒸发、热蒸发、脉冲激光沉积、原子层沉积等其中的一种或者多种组合。这种红外窄带辐射源具有高辐射率,峰值辐射率接近100%,Q因子可达140以上、单色性好等突出性能优势,并且结构简单、易于大面积制备、波长可调、可制备在柔性衬底上等一系列优点,在红外窄带光源、气敏探测器、光电特征标识和新型红外光谱仪上有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 辐射源 制备 窄带 布拉格反射镜 介质腔 脉冲激光沉积 电子束蒸发 多层膜结构 红外光谱仪 离子束溅射 气敏探测器 原子层沉积 波长可调 磁控溅射 峰值辐射 光电特征 性能优势 窄带光源 中心波长 层厚度 单色性 高辐射 金属层 热蒸发 衬底 膜系 辐射 应用 | ||
【主权项】:
1.一种红外窄带辐射源,其结构包括介质布拉格反射镜(1)、介质腔层(2)、金属层(3)和衬底(4);介质腔层(2)和金属层(3)之间生长有匹配层;介质布拉格反射镜(1)上加盖有保护层,所述红外窄带辐射源的工作波长覆盖短波1.1~3μm、中波3~6μm及长波6~15μm红外波段;通过调节介质腔层(2)和介质布拉格反射镜(1)光学厚度来调整窄带辐射峰峰位,其特征在于:/n所述的金属层(3)采用金、银、铜、铝、钨、钽、铼金属材料中的一种,金属层膜厚远大于辐射源向金属内传播的穿透深度;/n所述的介质腔层(2)材料为锗、硅、硫化锌或一氧化硅在辐射波段具有弱吸收性质的半导体或化合物材料;/n所述的介质布拉格反射镜(1)由辐射波段弱吸收的高折射率和低折射率材料交替生长形成,所述的介质布拉格反射镜(1)中的最外层为所述低折射率材料,所述红外窄带辐射源工作波长在所述短波红外波段时所述高折射率材料和低折射率材料分别为氧化铪和二氧化硅;所述红外窄带辐射源工作波长在所述中波红外波段时所述高折射率材料和低折射率材料分别为硅和一氧化硅,所述红外窄带辐射源工作波长在所述长波红外波段时所述高折射率材料为锗,低折射率材料为硫化锌或硒化锌;/n用于实现介质腔层(2)和金属层(3)之间应力匹配,增强粘附性的所述的匹配层为铬、钛或镍金属层;/n用于保护易氧化的介质腔层(2)和介质布拉格反射镜(1)使其不易氧化变性,并可实现减反增透效果的所述的保护层材料是氮化硅或二氧化硅耐腐蚀抗氧化材料。/n
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