[发明专利]绝缘体上半导体结构以及制备方法有效
| 申请号： | 201611059165.1 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106449663B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王敬;孙川川;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成锑化物过渡层和锑化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述锑化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述缘层上半导体结构。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用锑化物晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对绝缘体上半导体结构造成的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备绝缘体上半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：(1)在基底的上表面依次形成锑化物过渡层和锑化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述锑化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述绝缘体上半导体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
