[发明专利]一种磁通门传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201611059268.8 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106772142A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 唐衡;曹馨;李翠红;王磊;王开天;杜爱民;冯晓;孙树全 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)44316 | 代理人： | 赵勍毅 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种磁通门传感器及其制造方法，通过在绝缘基底表面上利用薄膜生长技术生成一层软磁材料(坡莫合金薄膜)作为磁芯；在所述软磁材料层上形成一层绝缘层之后沉积一层金属导电层，薄膜生长技术能够人为排列坡莫合金分子构成方式，达到高精度控制其均匀度和薄厚程度；再使用刻蚀技术将金薄膜雕刻成激励线圈和感应线圈，仪器设备监控流程，形成一个纳米级别的磁通门传感器；本发明解放了人力，速度快，效率高，废品率少，一次性投入之后节约大量人力成本；磁通门磁传感器本身具有体积小，精度高，功耗极低，灵敏度高，便于大批量生产，成品率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁通门 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁通门传感器，其特征在于，包括：绝缘基底、磁芯、激励线圈和感应线圈；通过在绝缘基底表面上利用薄膜生长技术生成一层软磁材料作为磁芯；在所述软磁材料层上形成一层绝缘层；在所述绝缘层上沉积一层金属导电层；通过刻蚀技术将所述导电层刻蚀形成所述激励线圈和感应线圈。
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