[发明专利]一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法

摘要

本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。

主权项

一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，其特征包括如下步骤：1)建模：在刻蚀气体均为Ar2:CH4＝30:1sccm，RF功率10W，ICP功率1000W，只改变刻蚀温度的条件下，测量出多个碲镉汞样品在不同温度下刻蚀约5μm所形成的反型层厚度，由此建立刻蚀温度与刻蚀反型层厚度的关系曲线，刻蚀温度设定为‑150℃‑+80℃；2)根据步骤1)获取的关系曲线，根据器件所需控制的反型层厚度得到碲镉汞刻蚀刻蚀时所需的温度数据，进而实现对碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的控制。