[发明专利]适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611060128.2 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106356396B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈亚文 | 申请（专利权）人： | 深圳市TCL高新技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽留仙洞中山园路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于印刷工艺制备显示器的像素bank结构及其制备方法。适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构，包括基板、图案化像素电极和像素Bank层，所述像素Bank层包括设置在所述基板上的第一像素Bank和设置在所述第一像素Bank上表面的第二像素Bank，其中，所述第一像素Bank为上窄下宽的Bank结构，且所述第一像素Bank由亲液性材料制成；所述第二像素Bank包括一对相互抵靠的导墨斜坡，所述导墨斜坡的高度沿着所述相互抵靠的导墨斜坡相互靠近的方向渐增设置，且所述第二像素Bank由疏液性材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 印刷 工艺 制备 显示器 像素 bank 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构，包括基板、图案化像素电极和像素Bank层，其特征在于，所述像素Bank层包括设置在所述基板上的第一像素Bank和设置在所述第一像素Bank上表面的第二像素Bank，其中，所述第一像素Bank为上窄下宽的Bank结构，且所述第一像素Bank由亲液性材料制成；所述第二像素Bank包括一对相互抵靠的导墨斜坡，所述导墨斜坡的高度沿着所述相互抵靠的导墨斜坡相互靠近的方向渐增设置，且所述第二像素Bank由疏液性材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
